典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证

罗尹虹; 龚建成; 郭红霞; 何宝平; 张凤祁

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典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证

研究论文 | 更新时间：2023-03-30

- 典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证
- Total dose accelerated test method to validate typical CMOS devices
- 辐射研究与辐射工艺学报 2005年23卷第4期页码：241-245
- 作者机构：
  
  1.西安西北核技术研究所　西安　710024
- 作者简介：
  
  罗尹虹，女，1974年8月出生，1996年毕业于国防科技大学，工程师，现为西北核技术研究所在读硕士研究生，主要从事半导体器件辐射损伤效应研究
- 基金信息：
  
  国防预研基金(413110705)
- DOI：
  中图分类号：
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罗尹虹, 龚建成, 郭红霞, 等. 典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2005,23(4):241-245.

LUO Yinhong, GONG Jiancheng, GUO Hongxia, et al. Total dose accelerated test method to validate typical CMOS devices[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2005,23(4):241-245.
罗尹虹, 龚建成, 郭红霞, 等. 典型CMOS器件总剂量加速试验方法验证[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2005,23(4):241-245. DOI：

LUO Yinhong, GONG Jiancheng, GUO Hongxia, et al. Total dose accelerated test method to validate typical CMOS devices[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2005,23(4):241-245. DOI：

摘要

应用美军标试验方法1019.5和1019.4分别对两种典型（Complementary Metal−Oxide−Semiconductor Transistor，CMOS）器件进行试验验证，论述了试验原理，对试验现象进行了详细的分析，了解实验室条件下评估空间氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷的可行性和保守性。实验表明，两种不同工艺的CC4069器件没有通过1019.5所做出的试验验证，从实验现象观察认为是由于界面陷阱电荷大量建立所引起的。加固LC4007−RHA NMOS却通过了与1019.5相比过分保守的1019.4的试验验证。

Abstract

MIL−STD 883 Test Method 1019.5 and 1019.4 are respectively applied to test and validate typical CMOS devices of CC4069 (manufactured in two different technologies) and LC4007-RHA. Principles for the tests are given and test results are analyzed in detail, so as to realize under laboratory conditions the feasibilities and conservatisms of eatimating oxide trap charges and interface trap charges in space. The studies shows that, while the LC4007-RHA NMOS device passed the comparatively conservative 1019.4 tests, CC4069 devices failed in the 1019.5 tests, suggesting considerable interface trap charge build-up after high temperature annealing.

关键词

美军标1019.5互补型金属氧化物半导体器件辐射效应评估

Keywords

MIL−STD−883 Test Method 1019.5Complementary Metal−Oxide−Semiconductor Transistor (CMOS) deviceRadiation effect estimatiom

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