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过辐照、加速退火及离散性对存储器电参数的影响研究
研究论文 | 更新时间:2023-03-30
    • 过辐照、加速退火及离散性对存储器电参数的影响研究

    • Influence of post-radiation, accelerate annealing and discreteness on the TID paramers of memerizer

    • 辐射研究与辐射工艺学报   2010年28卷第5期 页码:307-311

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  • 王群勇, 刘燕芳, 陈宇, 等. 过辐照、加速退火及离散性对存储器电参数的影响研究[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2010,28(5):307-311. DOI:

    WANG Qunyong, LIU Yanfang, CHEN Yu, et al. Influence of post-radiation, accelerate annealing and discreteness on the TID paramers of memerizer[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2010,28(5):307-311. DOI:

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