电离辐射诱导HeLaS<sub>3</sub>细胞凋亡时程变化的影响

金光辉; 薛丽香; 付士波; 苏旭

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电离辐射诱导HeLaS₃细胞凋亡时程变化的影响

简报 | 更新时间：2023-04-07

- 电离辐射诱导HeLaS₃细胞凋亡时程变化的影响
- INFLUENCES ON TIME COURSE OF APOPTOSIS OF HeLaS₃ CELLS AFTER IRRADIATION WITH DIFFERENT DOSES X RAYS
- 辐射研究与辐射工艺学报 2001年19卷第4期页码：307-310
- 作者机构：
  
  1.白求恩医科大学卫生部放射生物重点实验室　长春　130021
- 作者简介：
  
  金光辉，男，1975年12月出生，1999年7月毕业于白求恩医科大学，现放射生物学硕士研究生
- 基金信息：
  
  卫生部科学研究基金(98-1-202)
- DOI：
  中图分类号：
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金光辉, 薛丽香, 付士波, 等. 电离辐射诱导HeLaS₃细胞凋亡时程变化的影响[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2001,19(4):307-310.

JIN Guanghui, XUE Lixiang, FU Shibo, et al. INFLUENCES ON TIME COURSE OF APOPTOSIS OF HeLaS₃ CELLS AFTER IRRADIATION WITH DIFFERENT DOSES X RAYS[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2001,19(4):307-310.
金光辉, 薛丽香, 付士波, 等. 电离辐射诱导HeLaS₃细胞凋亡时程变化的影响[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2001,19(4):307-310. DOI：

JIN Guanghui, XUE Lixiang, FU Shibo, et al. INFLUENCES ON TIME COURSE OF APOPTOSIS OF HeLaS₃ CELLS AFTER IRRADIATION WITH DIFFERENT DOSES X RAYS[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2001,19(4):307-310. DOI：

摘要

采用PI和Hoechst33342双染、流式细胞术（FCM）和图像分析术（ICM）检测了不同剂量电离辐射对HeLaS,3,细胞凋亡的影响。结果表明，HeLaS,3,细胞在分别受到0.5—4.0Gy X射线照射后8h，其细胞凋亡呈增高趋势，但无统计学意义。照射后12h，细胞凋亡显著增加（p,<,0.01）,并达峰值。随后，细胞凋亡率迅速下降，48h,又有所回升。且流式细胞术与图像分析术所得结果数据相近，趋势一致。

Abstract

Changes of time course in apoptosis of HeLaS,3, cells following irradiation with different doses X rays were observed. The percentages of apoptotic cells were examined by both flow cytometry(FCM) and image cytometry (ICM) after the cells were stained by propidium iodine (PI) and Hoechst33342 (HO). It was founded that the percentages of apoptotic cells increased after irradiation with 0.5—4.0Gy X rays and the peak value emerged at the 12th hour after irradiation. In additon the values examined by both FCM and ICM were nearly same and the tendency was identical. So irradiation may induce apoptosis of HeLaS,3, cell lines.

关键词

电离辐射细胞凋亡流式细胞术图像分析术

Keywords

IrradiationApoptosisFlow cytometryImage cytometry

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