电子辐照对硅双极晶体管参数的影响

翟冬青

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电子辐照对硅双极晶体管参数的影响

科研简报 | 更新时间：2023-04-23

- 电子辐照对硅双极晶体管参数的影响
- THE EFFECTS OF ELECTRON RADIATION ON PARAMETERS OF SILICON BIPOLAR TRANSISTORS
- 辐射研究与辐射工艺学报 1992年10卷第2期页码：126-128
- 作者机构：
  
  1.河北大学，保定
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
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翟冬青. 电子辐照对硅双极晶体管参数的影响[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 1992,10(2):126-128.

Zhai Dongqing. THE EFFECTS OF ELECTRON RADIATION ON PARAMETERS OF SILICON BIPOLAR TRANSISTORS[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 1992,10(2):126-128.
翟冬青. 电子辐照对硅双极晶体管参数的影响[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 1992,10(2):126-128. DOI：

Zhai Dongqing. THE EFFECTS OF ELECTRON RADIATION ON PARAMETERS OF SILICON BIPOLAR TRANSISTORS[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 1992,10(2):126-128. DOI：

摘要

报道了2 MeV电子束辐照对硅双极晶体管参数h,FE,、t,off,和C,T,的影响。这些参数的变化依赖于电子辐照在晶体管内部引入缺陷能级的性质。实测表明，这些缺陷能级引起的少数载流子寿命下降和多数载流子去除效应是h,FE,、t,off,和C,T,变化的直接原因。

Abstract

In this paper, the effects of 2 MeV electron radiation on parameters h,FE, t,off, and C,T, of silicon bipolar transistors is reported. The changes of these parameters depended largely on characteristic of defect level in transistors introducced by electron radiation. The measurement results indicate that reduction of minority carrier lifetime and effect of majority carrier removing induced by these defects level are direct reason for changes of h,FE, t,off, and C,T,.

关键词

双极晶体管少数载流子寿命下降多数载流子去除效应

Keywords

Bipolar transistorsReduction of minority carrier lifetimeEffect of majority carrier removing

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