运算放大器X和γ辐射损伤的比较

陈盘训

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运算放大器X和γ辐射损伤的比较

研究论文 | 更新时间：2023-04-23

- 运算放大器X和γ辐射损伤的比较
- COMPARISON OF X-AND γ-RADIATION DAMAGE ON OPERATIONAL AMPLIFIERS
- 辐射研究与辐射工艺学报 1997年15卷第2期页码：80-85
- 作者机构：
  
  1.中国工程物理研究院应用电子学研究所　成都　610003
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家科工委基金资助项目(91J11.07)
- DOI：
  中图分类号：
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陈盘训. 运算放大器X和γ辐射损伤的比较[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 1997,15(2):80-85.

Chen Panxun. COMPARISON OF X-AND γ-RADIATION DAMAGE ON OPERATIONAL AMPLIFIERS[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 1997,15(2):80-85.
陈盘训. 运算放大器X和γ辐射损伤的比较[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 1997,15(2):80-85. DOI：

Chen Panxun. COMPARISON OF X-AND γ-RADIATION DAMAGE ON OPERATIONAL AMPLIFIERS[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 1997,15(2):80-85. DOI：

摘要

比较了运算放大器在X和γ辐射环境下性能的变化，并对X射线对运算放大器产生的剂量增强效应作了研究。实验测量X射线对几种典型运放的相对剂量增强系数（RDEF）的范围为3.4～12.3。SiO,2,/Si界面产生的俘获空穴电荷和界面态是运算放大器在X和γ辐射环境下的主要失效模式。

Abstract

Character change of operational amplifiers was compared in X-and γ-radiation enviroments. Dose enhancement effect of X — and γ-radiation was studied to operational amplifiers. Relative dose enhancement factors (RDEF) measured are about 3.4~12.4 in the experiment. SiO,2,/Si interface trapped hole charges and interfacestates are main failure model of operationalamplifiers in X-and γ-radiation enviroments.

关键词

运算放大器X射线γ射线辐射损伤剂量增强效应

Keywords

Operational amplifierX-rayγ-rayRadiation damageDose enhancement effect

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