偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

王利斌; 王信; 吴雪; 李小龙; 刘默寒; 陆妩

doi:10.11889/j.1000-3436.2020.rrj.38.050701

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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

辐射交叉学科研究 | 更新时间：2025-02-28

- 偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
- Influence of total ionizing dose effects on domestic SiGe BiCMOS under different bias conditions
- “据最新报道，国产0.35微米SiGe BiCMOS工艺器件在高剂量率辐照下表现出优异的抗电离总剂量效应能力，为辐射环境下的电子器件应用提供新方案。”
- 辐射研究与辐射工艺学报 2020年38卷第5期页码：60-66
- 作者机构：
  
  1.新疆大学物理科学与技术学院乌鲁木齐 830046
  2.中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011
  3.新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐 830011
  4.模拟集成电路重点实验室重庆 400060
- 作者简介：
  
  王利斌，男，1992年6月出生，2015年于烟台大学获工学学士学位，新疆大学核技术及应用专业在读研究生
  陆妩，研究员，博士生导师，E-mail: luwu@ms.xjb.ac.cn
- 基金信息：
  
  模拟集成电路重点实验室稳定支持项目(JCKY2019210C055);自治区天池博士计划项目(新科证字[2018]111号);西部之光(2018-XBQNXZ-B-003)
- DOI：10.11889/j.1000-3436.2020.rrj.38.050701
  中图分类号： O77+4
- 收稿日期：2020-03-09，
  
  修回日期：2020-04-28，
  
  录用日期：2020-04-28，
  
  纸质出版日期：2020-10-20
- 稿件说明：
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王利斌,王信,吴雪等.偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响[J].辐射研究与辐射工艺学报,2020,38(05):60-66.

WANG Libin,WANG Xin,WU Xue,et al.Influence of total ionizing dose effects on domestic SiGe BiCMOS under different bias conditions[J].Journal of Radiation Research and Radiation Processing,2020,38(05):60-66.
王利斌,王信,吴雪等.偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响[J].辐射研究与辐射工艺学报,2020,38(05):60-66. DOI： 10.11889/j.1000-3436.2020.rrj.38.050701.

WANG Libin,WANG Xin,WU Xue,et al.Influence of total ionizing dose effects on domestic SiGe BiCMOS under different bias conditions[J].Journal of Radiation Research and Radiation Processing,2020,38(05):60-66. DOI： 10.11889/j.1000-3436.2020.rrj.38.050701.

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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响

Influence of total ionizing dose effects on domestic SiGe BiCMOS under different bias conditions

DOI：10.11889/j.1000-3436.2020.rrj.38.050701