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高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究
辐射交叉学科研究 | 更新时间：2025-02-28
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    • 高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究

    • Research and design of high voltage radiation hardened lateral diffused metal oxide semiconductor

    • “在宇航级功率集成电路领域，专家研究了高压LDMOS抗单粒子效应加固技术，为提升器件抗辐射性能提供解决方案。”
    • 辐射研究与辐射工艺学报   2022年40卷第5期 页码：82-88

    • DOI：10.11889/j.1000-3436.2022-0035    

      中图分类号： TN402

    • 收稿日期：2022-03-23，

      修回日期：2022-05-06，

      录用日期：2022-05-06，

      纸质出版日期：2022-10-20

    移动端阅览

  • 初飞,陈洪转,彭领等.高压抗辐射横向扩散金属氧化物半导体的设计与研究[J].辐射研究与辐射工艺学报,2022,40(05):82-88. DOI： 10.11889/j.1000-3436.2022-0035.

    CHU Fei,CHEN Hongzhuan,PENG Ling,et al.Research and design of high voltage radiation hardened lateral diffused metal oxide semiconductor[J].Journal of Radiation Research and Radiation Processing,2022,40(05):82-88. DOI： 10.11889/j.1000-3436.2022-0035.

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