GaN 高电子迁移率晶体管器件质子辐照效应

谢永智; 崔江维; 李小龙; 刘默寒; 郑齐文; 梁晓雯; 史成城; 王金鹏; 郭旗; 李豫东

doi:10.11889/j.1000-3436.2026-0032

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GaN 高电子迁移率晶体管器件质子辐照效应

更新时间：2026-09-21

- GaN 高电子迁移率晶体管器件质子辐照效应
- Proton radiation effects on GaN HEMT devices
- 辐射研究与辐射工艺学报 2026年页码：1-9
- 作者机构：
  
  1.新疆极端环境电子学重点实验室，特殊环境条件功能材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐 830000
  2.中国科学院大学北京 101408
- 作者简介：
  
  谢永智，男，2000年12月出生，现为中国科学院大学硕士研究生，集成电路工程专业
  崔江维，博士，研究员，E-mail：cuijw@ms.xjb.ac.cn
- 基金信息：
  
  新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2025D04006);新疆维吾尔自治区重点研发任务专项(2023B01008);中国科学院青年创新促进会优秀会员项目
- DOI：10.11889/j.1000-3436.2026-0032
  中图分类号： TN386
- 收稿：2026-03-02，
  
  修回：2026-03-13，
  
  录用：2026-03-13，
  
  网络首发：2026-09-21，
- 稿件说明：
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谢永智, 崔江维, 李小龙, 等. GaN 高电子迁移率晶体管器件质子辐照效应[J/OL]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2026,1-9.

XIE Yongzhi, CUI Jiangwei, LI Xiaolong, et al. Proton radiation effects on GaN HEMT devices[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, XXXX, XX(XX): XXXXXX.
谢永智, 崔江维, 李小龙, 等. GaN 高电子迁移率晶体管器件质子辐照效应[J/OL]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2026,1-9. DOI： 10.11889/j.1000-3436.2026-0032. CSTR： 32195.14.j.JRRRP.1000-3436.2026-0032.

XIE Yongzhi, CUI Jiangwei, LI Xiaolong, et al. Proton radiation effects on GaN HEMT devices[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, XXXX, XX(XX): XXXXXX. DOI： 10.11889/j.1000-3436.2026-0032. CSTR： 32195.14.j.JRRRP.1000-3436.2026-0032.

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DOI：10.11889/j.1000-3436.2026-0032