应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性

刘刚; 余学锋; 任迪远; 牛振红; 高嵩

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性

研究论文 | 更新时间：2023-03-30

- 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
- Radiation effects and annealing of power MOSFET for space applications
- 辐射研究与辐射工艺学报 2006年24卷第4期页码：201-204
- 作者机构：
  
  1.中国科学院新疆理化技术研究所　乌鲁木齐　830011
  2.中国科学院研究生院　北京100049
- 作者简介：
  
  刘刚，男，1979年7月出生，2003年毕业于河北工业大学应用物理系，目前为新疆理化技术研究所硕士研究生，主要从事体硅和SOI CMOS 器件的抗辐射机理研究
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
扫描看全文
刘刚, 余学锋, 任迪远, 等. 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2006,24(4):201-204.

LIU Gang, YU Xuefeng, REN Diyuan, et al. Radiation effects and annealing of power MOSFET for space applications[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2006,24(4):201-204.
刘刚, 余学锋, 任迪远, 等. 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 2006,24(4):201-204. DOI：

LIU Gang, YU Xuefeng, REN Diyuan, et al. Radiation effects and annealing of power MOSFET for space applications[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 2006,24(4):201-204. DOI：

摘要

为给金属氧化物半导体场效应功率管（Power MOSFET）在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用,60,Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度，分析了Power MOSFET器件在,60,Co γ射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道Power MOSFET相比，P沟道Power MOSFET可能更适合空间应用。

Abstract

Two kinds of power MOSFET were irradiated by ,60,Co γ-rays in order to investigate their resistance to cosmic rays. The total dose radiation responses and voltage-current characteristics after 70℃ annealing were studied based on the changes of oxide charges and interface states induced by the irradiation. The results show that the P channel devices are more radiation resistant than the N channel devices.

关键词

金属氧化物半导体场效应功率管辐射响应退火特性

Keywords

Power MOSFETIrradiation responseAnnealing characteristics

references

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

暂无数据