MOS结构的质子辐照效应

顾美渔; 邢强华; 王传珊; 周树鑫

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MOS结构的质子辐照效应

研究论文 | 更新时间：2023-04-23

- MOS结构的质子辐照效应
- THE PROTON RADIATION EFFECT OF MOS STRUCTURE
- 辐射研究与辐射工艺学报 1992年10卷第4期页码：207-210
- 作者机构：
  
  1.上海科技大学，上海　201800
  2.上海射线应用所，上海　201800
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顾美渔, 邢强华, 王传珊, 等. MOS结构的质子辐照效应[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 1992,10(4):207-210.

Gu Meiyu, Xing Qianghua, Wang Chuanshan, et al. THE PROTON RADIATION EFFECT OF MOS STRUCTURE[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 1992,10(4):207-210.
顾美渔, 邢强华, 王传珊, 等. MOS结构的质子辐照效应[J]. 辐射研究与辐射工艺学报, 1992,10(4):207-210. DOI：

Gu Meiyu, Xing Qianghua, Wang Chuanshan, et al. THE PROTON RADIATION EFFECT OF MOS STRUCTURE[J]. Journal of Radiation Research and Radiation Processing, 1992,10(4):207-210. DOI：

摘要

利用微分电容法和禁带中央电压漂移技术，研究了铝栅MOS结构质子辐照诱发的新生界面陷阱和氧化层陷阱结构。结果表明，质子辐照所诱发的新生界面陷阱和氧化层陷阱随质子能量和剂量的增加而增加。用H,+,二级过程模型和计算机模拟定性解释了实验结果。

Abstract

Using the differential capacitance method and the midgape-votage shift technique to study the proton radiation induced interface traps and oxide traps in the Al-gate MOS structure. The results indicate that the overall density of the radiation-induced interface traps and oxide traps increase with proton energy and doses. These experimental results were explained in terms of the two-stage H,+, process and TRIAM-89 computer simulation.

关键词

MOS结构质子辐射效应

Keywords

MOS StructureProtonRadiation

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